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高溫(wēn)低溫氣流衝擊儀

更新時間(jiān):2021-06-05   點擊次數:1799次

【適用範圍】

8x8x在线免费视频係列半導體高低溫衝(chōng)擊熱流儀適用於各(gè)類(lèi)半(bàn)導體芯片、閃存Flash/EMMC、PCB 電路板IC、光通訊(如收fa器 transceiver 高低溫測試、SFP 光(guāng)模塊(kuài)高低溫測試等)、電(diàn)子行業等(děng)進行IC 特性分析(xī)、高低溫循環(huán)測試、溫度衝擊測試、失效分析等可靠性試驗。

【工作原(yuán)理】

1、試驗機輸出(chū)氣流罩將被測試品(pǐn)罩住,形(xíng)成一個較密閉(bì)空間的測試(shì)腔,試驗機輸出的高溫或低溫氣流,使被測(cè)試品表麵溫度(dù)發生劇烈變化(huà),從而完成相應(yīng)的(de)高低溫衝擊試驗(yàn);

2、可針對眾多元器(qì)件中的某一單個IC或其它元件,將其隔離(lí)出來單獨進行高低溫(wēn)衝(chōng)擊,而不影(yǐng)響周邊其它器件,與傳統(tǒng)冷熱衝擊試驗箱相比,溫(wēn)變變化衝擊速率更快。

【工作模式】

A)2路主空氣管輸出,由分布頭分為8路供氣,帶2套1拖(tuō)8 係統

B) 2種檢測模(mó)式 Air Mode 和 DUT Mode

  測試和(hé)循環於高溫/常溫/低溫(或者不要常(cháng)溫)

    【標準儀(yí)據】

    GB/T 2423.1-2008     試驗(yàn)A:低溫試驗方法;

    GB/T 2423.2-2008     試驗B:高(gāo)溫試驗方(fāng)法;

    GB/T2423.22-2012     試驗(yàn)N: 溫度變(biàn)化試驗方法

    GJB/150.3-2009       高(gāo)溫試驗

    GJB/150.4-2009      低溫試驗          

    GJB/150.5-2009      溫度衝擊試驗

    【主要技術參數】

    1. 設備型號:HE-ATS750
    2. 樣品盒尺寸:直徑140mm×高50mm
    3. 製冷方式:采用風冷式HFC環保製冷劑複疊係統,溫度可達-70℃
    4. 噪音:≤65dB(A聲級)
    5. 條件:風冷式環(huán)境(jìng)溫度在+23℃時
    6. 溫度控製範圍:-70℃~+250℃
    7. 衝擊溫度範圍:-60℃~+200℃
    8. 溫度轉換時間:≤10秒
    9. 溫度偏差:測試品恒(héng)定在(zài)-40℃時,溫度(dù)偏差為(wéi)±1℃
    10. 衝擊氣流(liú)量:1.9~8.5L/s(分為8路,每路0.23~1.06 L/s)連續氣流
    11. 溫變速率降:RT+10℃降至-40℃≤60s
    12. 試品表麵溫度:RT+10℃降至-40℃約1分鍾試品表(biǎo)麵溫度達到,氣體溫(wēn)度與樣品溫度可選擇測控
    13. 控製係統:采用進口智能(néng)PLC觸摸(mō)屏控製,7寸彩色屏
    14. 試品:帶2套1拖8 係統,金屬封裝PCB板模塊8片;
    15. 前端空氣經(jīng)幹燥過濾器處理,產品測試區及附近無明(míng)顯(xiǎn)結露現(xiàn)象。設備可以連續(xù)運轉不需進行除霜(shuāng)。
    16. 外形尺寸:寬790×高1600×深1080(mm)以實物為(wéi)準
    17. 使用電源:AC 三廂 五線 380V 50/60HZ

     

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